ESD物理與器件
系統地介紹了靜電放電（ESD）物理理論及器件設計，並給出了大量實例，將ESD理論工程化。書中主要內容有：ESD中的靜電及熱電物理學理論及模型，ESD用半導體器件物理及結構，ESD中襯底、阱、隔離結構，電介質、互連及SOI等相關技術及應用。《國際電氣工程先進技術譯叢:ESD物理與器件》為作者的ESD系列專著的第一本，對於專業模擬集成電路及射頻集成電路設計工程師，以及系統ESD工程師具有較高的參考價值。
《國際電氣工程先進技術譯叢:ESD物理與器件》可以作為電路設計、工藝、質量、可靠性和誤差分析工程師的工具書，也可以作為電子科學與技術、微電子科學與工程和集成電路設計，尤其是模擬集成電路設計及射頻集成電路設計專業高年級本科生及研究生的參考書。
沃爾德曼（Steven
H.Voldman），博士由於在CMOS、SOI和SiGe工藝下的靜電放電（ESD）保護方面所作出的貢獻，而成為了ESD領域的第一位IEEEFellow。他於1979年在巴法羅大學獲得了工程學學士學位；並於1981年在麻省理工學院（MIT）獲得了電子工程方向的碩士學位；以后又在MIT獲得第二個電子工程學位（工程碩士學位）；1986年他在IBM的駐地研究員計划下從佛蒙特大學獲得了工程物理學碩士學位，並於1991年從該校獲得了電子工程的博士學位。他作為IBM開發團隊的一員已有25年的歷史，主要致力於半導體器件物理、器件設計和可靠性（如軟失效率（SER）、熱電子、漏電機制、閂鎖和ESD）的研究工作。Voldman博士參與到閂鎖技術的研發已有27年之久。他的工作主要針對用於雙極型SRAM、CMOSDRAM、CMOS邏輯、SOI、BiCMOS、SiGe、RFCMOS、RFSOI、智能電源和圖像處理技術中的工藝和電路設計的研究。在2008年，他成為了奇夢達DRAM開發團隊的一員，從事70nm、58nm和48nmCMOS工藝的研究。同年，他成立了一個有限責任公司，並作為台積電45mnESD和閂鎖開發團隊的一部分在其總部中國台灣新竹工作。目前他作為ESD和閂鎖研發的高級首席工程師效力於Intersil公司。
