蕭克萊（William Bradford Shockley，1910-1989）， 美國物理學家。1945 年下半年，貝爾電話實驗室成立了以蕭克萊為組長，蕭克萊、巴丁（John Bardeen,1908-1991）、布拉頓（Walter Houser Brattain,1902-）為核心的固體物理學研究小組（見圖1-2）。該小組於1947 年12 月發明點接觸電晶體，1948 年6
月貝爾電話實驗室報導了這一發明，並申請專利。1949 年蕭克萊提出結型電晶體理論，1950 年由貝爾電話實驗室M. 斯帕克斯（M. Sparks）和G.L. 皮爾遜（G.L Pearson）製造出結型電晶體。1956 年蕭克萊、巴丁、布拉頓共同獲得諾貝爾物理學獎。
這裏我們特別介紹一下布拉頓（見圖1-3），他的父親羅斯和母親奧蒂莉畢業於美國華盛頓的惠特曼學院。他們剛結婚後就來到了中國廈門，羅斯得到一份在中國學校教授科學和數學的工作，布拉頓在1902 年2 月10 日生於廈門。布拉頓一家人在中國居住了一段時間後，1903 年，布拉頓和家人回到了華盛頓。
蕭克萊於1910 年2 月13 日生於英國倫敦。其父母都是美國人，父親畢業於美國麻省理工學院，曾以採礦工程師等身份在包括中國在內的多個國家工作過，後被派駐英國。讀中學期間，蕭克萊深受其父親的好友──史丹佛大學物理系教授、X 射線領域專家羅斯（P．Ross）的影響，並被其收為義子。1932 年，蕭克萊在加州理工學院物理系獲得學士學位；
此後，他轉入麻省理工學院主攻固體物理學，並於1936年獲得博士學位； 1936 年6 月，他接受貝爾基礎研究部主任凱利（M．J. Kelly）的邀請加盟貝爾實驗室。
依據量子力學理論，蕭克萊勾畫出了P 型和N 型矽半導體的能帶和能級圖，並對這些能帶、能級在外部強電場的作用下可能的變化情況進行了分析。之後，蕭克萊意識到這一統也許可以用於放大器的設計。這種利用空間場效應設計放大器的思想形成後，蕭克萊便開始嘗試用實驗來驗證自己的設想。
1945 年7
月，由蕭克萊和化學家摩爾根（S．Morgam）領導固體物理組，該組下設半導體和冶金兩個研究小組，分別負責元件和材料的研究開發，並明確由蕭克萊兼任半導體研究小組組長。研究小組成立後不久，蕭克萊在貝爾實驗室的一些夥伴──實驗物理學家布拉頓和皮爾遜、物理化學家吉布尼（R．Gibney）和電路專家摩爾（H．Moore）等人便先後加盟半導體研究小組。在蕭克萊的推薦下，半導體研究小組引進了精通固體物理的傑出理論物理學家巴丁（見圖1-4）。
