第1章 緒論
1.1 引言
1.2 電子封裝及電子封裝材料
1.2.1 電子封裝及其作用
1.2.2 電子封裝材料及其性能
1.3 化學鍍銅概述
1.3.1 化學鍍銅的發展
1.3.2 化學鍍銅原理
1.4 銅基復合材料的制備方法
1.4.1 粉末冶金法
1.4.2 擠壓鑄造法
1.4.3 原位自生成法
1.4.4 噴射沉積法
1.5 電子封裝用銅基復合材料的性能
1.5.1 熱物理性能
1.5.2 力學性能
1.6 SiCp／Cu復合材料的應用及展望
參考文獻
第2章 實驗方案及研究方法
2.1 實驗技術路線
2.2 實驗用原材料
2.3 復合材料制備工藝
2.3.1 Cu包覆SiC復合粉體的制備
2.3.2 復合材料制備工藝過程
2.4 分析測試方法
2.4.1 組織觀察與分析
2.4.2 熱物理性能測試
2.4.3 力學性能測試
第3章 Cu包覆SiCp復合粉體的制備及表征
3.1 引言
3.2 Cu包覆SiCp復合粉體制備工藝
3.2.1 鍍前處理工藝
3.2.2 化學鍍銅溶液的組成
3.2.3 化學鍍銅工藝
3.2.4 不同工藝參數對化學鍍銅反應速度的影響
3.3 Cu包覆SiCp復合粉體的成分及形貌
3.4 Cu包覆SiCp復合粉體的熱物理性能
3.5 小結
參考文獻
第4章 SiCp／Cu復合材料的微觀組織結構
4.1 引言
4.2 熱壓燒結SiCp／Cu復合材料的顯微組織
4.2.1 不同SiCp含量的SiCp／Cu復合材料的顯微組織
4.2.2 SiCp／Cu復合材料中增強相和基體的微觀組織特征
4.3 SiCp／Cu復合材料的密度與致密度
4.4 SiCp／Cu復合材料的界面研究
4.5 SiCp／Cu復合材料中Cu的氧化機制
4.6 小結
參考文獻
第5章 SiCp／Cu復合材料的熱物理性能
5.1 引言
5.2 SiCp／Cu復合材料的熱膨脹性能
5.2.1 溫度對復合材料熱膨脹系數的影響
5.2.2 顆粒尺寸對復合材料熱膨脹系數的影響
5.2.3 增強相體積分數對復合材料熱膨脹系數的影響
5.2.4 化學鍍對復合材料熱膨脹系數的影響
5.2.5 退火處理對復合材料熱膨脹系數的影響
5.2.6 SiCp／Cu復合材料熱膨脹系數模型預測
5.3 SiCp／Cu復合材料的導熱性能
5.3.1 熱導率的測試
5.3.2 SiCp／Cu復合材料導熱分析
5.3.3 SiCp／Cu復合材料熱傳導理論計算基礎
5.4 SiCp／Cu復合材料的導電性能
5.4.1 電導率的測試
5.4.2 SiCp／Cu復合材料導電性分析
5.4.3 SiCp／Cu復合材料電導率的理論計算
5.5 小結
參考文獻
第6章 SiCp／Cu復合材料的力學性能
6.1 引言
6.2 SiCp／Cu復合材料的硬度
6.2.1 增強相含量對復合材料硬度的影響
6.2.2 增強相顆粒尺寸對復合材料硬度的影響
6.2.3 SiC顆粒表面化學鍍銅對復合材料硬度的影響
6.2.4 退火處理對復合材料硬度的影響
6.3 SiCp／Cu復合材料的彎曲強度
6.3.1 增強相含量對復合材料彎曲強度的影響
6.3.2 SiC顆粒表面化學鍍銅對復合材料彎曲強度的影響
6.3.3 退火處理對復合材料彎曲強度的影響
6.4 SiCp／Cu復合材料斷口的掃描電鏡觀察
6.5 小結
參考文獻
