半導體器件原理
定價：288 元
NT $ 251
- 作者：@黃均鼐 湯庭鰲 胡光喜 @編/著
- 出版社：復旦大學出版社
- 出版日期：2011-05-01
- 語言：簡體中文
- ISBN10：7309081447
- ISBN13：9787309081442
- 裝訂：375頁 / 普通級 / 初版
為了適應當前集成電路的迅猛發展和新型半導體器件的不斷涌現，我們編寫出版了本書一書。
本書不僅介紹和分析了集成電路領域內一些基本器件，如p-n結、雙極型晶體管、單柵金屬氧化物場效應管、功率晶體管等的基本結構和工作原理，還根據當前科學技術的發展，介紹和分析了一些新型器件的結構和工作原理，如鐵電存儲器、相變存儲器、阻式存儲器、多柵場效應管以及肖特基勢壘源/漏結構場效應管等。
本書的作者們在集成電路領域具有多年的教學和科研經驗，希望通過該書的學習或閱讀，為讀者了解集成電路領域傳統的和新型的半導體器件結構以及它們的基本原理有所幫助。本書可作為電子科學與技術類低年級本科生的教材，也可供高年級本科生以及研究生等參考使用。
本書不僅介紹了傳統的p-n結、雙極型晶體管、單柵MOS場效應管、功率晶體管等器件的結構、原理和特性，還介紹了新型多柵MOS場效應管、不揮發存儲器以及肖特基勢壘源／漏結構器件的原理和特性。力求突出器件的物理圖像和物理概念，不僅有理論基礎知識的闡述，還有新近研究成果的介紹。
本書可作為電子科學與技術類低年級本科生的教材，也可供高年級本科生以及研究生等參考使用。
黃均鼐，復旦大學微電子學系教授。1961年畢業於復旦大學物理系，曾在物理系、電子工程系和微電子學系從事教學和研究工作五十余年，長期從事半導體器件研制、半導體集成電路設計和集成電路計算機輔助設計軟件的開發和算法研究。參與了包括鍺、硅晶體管及射頻卡、現場可編程門車列(FPGA)等多種集成電路芯片的研制，合作出版6部有關晶體管、集成電路及FPGA的專著。
湯庭鰲，復旦大學微電子學系教授、博士生導師。1961年畢業於復旦大學物理學系。任中國電子學會理事、學術工作委員會委員，IEEE
SSCS上海支分會主席，IET（IEE）Fellow，IET上海分部副主.席。主要研究領域為半導體工藝、器件的模型和模擬；MOS器件的小尺寸效應；鐵電和阻變不揮發存儲器研究等。曾合作出版專著1本，合作出版譯著3本；在國內外學報和國際會議上發表論文二百多篇，編輯、出版國際會議論文集十余集。
胡光喜，博士，副研究員，碩士生導師。1982年至1986年在安徽大學學習，並獲學士學位；1986年至1990年在西安交通大學學習，並獲碩士學位；2000年至2003年在復旦大學學習，並獲博士學位。2003年博士畢業后，留校任教至今。主要研究方向有半導體器件的建漢與仿真、小尺寸半導體件物理、量子統計物理。目前發表的第一作者或通訊作者SCI雜志文章有10多篇，國際會議文章多篇。
