半導體材料

半導體材料
定價：156 元
NT $ 136
  • 作者：@楊樹人 王宗昌 王兢 @編/著
  • 出版社：科學出版社
  • 出版日期：2004-03-01
  • 語言：簡體中文
  • ISBN10：7030128176
  • ISBN13：9787030128171
  • 裝訂：平裝 / 264頁 / 普通級 / 單色印刷 / 2版
 

內容簡介

本書是為大學本科與半導體相關的專業編寫的教材。本書介紹主要半導體材料　、砷化鎵等制備的基本原理，工藝和特性的控制等。全書分11章︰第1章為　和鍺的化學制備；第2章為區熔提純；第3章為晶體生長；第4章為　、鍺晶體中的雜質和缺陷；第5章為　外延生長；第6章為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體；第7章為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體的外延生長；第8章為Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半導體；第9章為Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體；第10章為氧化物半導體材料；第11章為其他半導體材料。

本書也可以作為從事與半導體相關研究工作的科研人員和相關專業研究生的參考書。
 

目錄

再版前言
前言
緒論
第1章 　和鍺的化學制備
1-1　和鍺的物理化學性質
1-2高純　的制備
1-3鍺的富集與提純
第2章 區熔提純
2-1分凝現象與分凝系數
2-2區熔原理
2-3鍺的區熔提純
第3章 晶體生長
3-1晶體生長理論基礎
3-2熔體的晶體生長
3-3　、鍺單晶生長
第4章 　、鍺晶體中的雜質和缺陷
4-1　、鍺晶體中雜質的性質
4-2　、鍺晶體的摻雜
4-3　、鍺單晶的位錯
4-4　單晶中的微缺隱
第5章 　外延生長
第6章 Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體
第7章 Ⅲ-Ⅴ族化合和攔導體的外延生長
第8章 Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半導體
第9章 Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體
第10章 氧化物半導體材料
第11章 其他半導體材料
參考文獻
看更多
網路書店 類別 折扣 價格
  1. 博客來網路書店
    新書
    87折
    $136