矽元件與積體電路製程(修訂二版)

第0章 半導體與積體電路之發展史
0-1 半導體之緣起 0-2
0-2 電晶體 0-2
0-3 積體電路 0-4
0-4 半導體製程 0-4

第1章 半導體物理與材料(一)
1-1 原子模型與週期表 1-2
1-2 晶體結構 1-4
1-3 物質種類 1-7
1-4 本矽，質量作用定律 1-9
1-5 摻雜質，負型和正型 1-10

第2章 半導體物理與材料(二)
2-1 能帶 2-2
2-2 電阻係數與薄片電阻 2-5
2-3 載子傳輸 2-9

第3章 積體電路(I)：半導體元件
3-1 二極體 3-2
3-2 雙載子電晶體 3-5
3-3 金氧半場效電晶體 3-9
3-4 互補金氧半場效電晶體 3-12
3-5 電阻 3-13
3-6 電容 3-15
3-7 電感 3-16

第4章 積體電路(II)：製程、電路與佈局
4-1 雙載子製程技術 4-2
4-2 MOS製程技術 4-5
4-3 電路與積體電路 4-6
4-4 IC設計原則 4-9
4-5 佈局原則 4-11

第5章 矽晶圓之製作(一)
5-1 原料配製 5-2
5-2 矽晶棒生長 5-3
5-3 晶片方向、切割和拋光 5-6

第6章 矽晶圓之製作(二)
6-1 晶體方向 6-2
6-2 晶體生長時摻雜質之分佈 6-4
6-3 晶體缺陷 6-6
6-4 十二吋晶圓效益分析 6-8

第7章 矽磊晶的成長(一)
7-1 磊晶膜 7-2
7-2 磊晶原理 7-5
7-3 磊晶膜之生長程序 7-10

第8章 矽磊晶的成長(二)
8-1 磊晶系統 8-2
8-2 磊晶膜之評估 8-5

第9章 氧化製程(一)
9-1 二氧化矽與氧化 9-2
9-2 熱氧化爐 9-3
9-3 氧化程序 9-4
9-4 氧化膜之評估 9-7
9-5 氧化膜品質改進方法 9-9

第10章 氧化製程(二)
10-1 氧化膜厚度之決定 10-2
10-2 氧化反應 10-5
10-3 薄氧化層 10-6
10-4 熱氧化時摻雜原子之重行分佈 10-7

第11章 摻雜質之擴散植入(一)
11-1 擴散概念 11-2
11-2 擴散過程 11-3
11-3 擴散之分佈曲線 11-12

第12章 摻雜質之擴散植入(二)
12-1 離子植入 12-2
12-2 火退火 12-6
12-3 離子佈植在CMOS積體電路製程上的應用 12-8
12-4 離子佈植製程實務 12-13

第13章 微影蝕刻術(一)
13-1 微影蝕刻技術 13-2
13-2 光罩之製作 13-2
13-3 光微影術 13-5
13-4 微影術之光源 13-10

第14章 微影蝕刻術(二)
14-1 濕、乾蝕刻 14-2
14-2 濕蝕刻 14-2
14-3 乾蝕刻 14-3
14-4 乾蝕刻反應器 14-7

第15章 化學氣相沈積
15-1 化學氣相沈積概念 15-2
15-2 化學氣相沈積流程 15-5
15-3 低壓化學氣相沈積 15-10
15-4 電漿化學氣相沈積 15-10
15-5 光照射化學氣相沈積 15-11
15-6 液相沈積 15-12

第16章 金屬接觸與蒸著
16-1 金屬化之要求 16-2
16-2 真空蒸著 16-3
16-3 蒸著技術 16-8
16-4 真空蒸著程序 16-12
16-5 合金／火退火 16-14
16-6 銅製程技術 16-15

第17章 製程潔淨控制與安全(一)
17-1 潔淨程序與藥品 17-2
17-2 水 17-3
17-3 空氣／無塵室 17-5
17-4 人員 17-7
17-5 化學藥品 17-8
17-6 氣體 17-11

第18章 製程潔淨控制與安全(二)
18-1 高壓氣瓶 18-2
18-2 設備上應注意事項 18-5
18-3 廢氣之排放 18-6
18-4 緊急時應注意事項 18-9

第19章 半導體元件之縮小
19-1 金氧半電晶體之縮小化 19-2
19-2 短通道效應 19-4

第20章 積體電路封裝
20-1 積體電路封裝 20-2
20-2 封裝分類 20-3
20-3 封裝流程 20-4