自序
乾蝕刻技術作為半導體元件的微縮、高積體化的手段，與微影技術構成雙璧的關鍵技術，所參與的工程師人數也幾乎與微影相同的多。微影技術由於解析度取決於光波長和NA（透鏡的數值孔徑），比較容易理解。相對而言，乾蝕刻技術在反應室引起的現象複雜而不容易理解。此外，由於蝕刻是利用電漿的物理、化學反應進行，需要電力、物理、化學的綜合知識。演變的結果，實際上從事乾蝕刻的工程師在許多場合，仰賴著經驗和直覺做事。非等向性蝕刻是如何實現？為何Si的蝕刻使用Cl2及HBr，而SiO2的蝕刻則使用氟碳系列的氣體？為何Poly-Si及Al的蝕刻使用ICP（電感耦合式電漿）之類的高密度電漿，而SiO2的蝕刻則使用中密度電漿於間距狹窄的平行板型蝕刻機？關於這樣的事，很多初學者在不具備充分的理解及知識的情況下，突然就被送進了現場。而且，即使是乾蝕刻的資深工程師，也有並不充分理解這些事的例子。
乾蝕刻雖然往往處於隱藏在微影背後的地位，但卻是如同開頭所述與微影技術構成雙璧的關鍵技術。換言之，（l）Si、SiO2、金屬等，每種材料有特定的設備與製程技術；（2）Cu鑲嵌連線加工、新材料加工等，新的領域連續不斷的誕生；（3）使用帶電粒子的緣故所產生的電漿損傷，是降低元件良率的元凶，機制的闡明與對策是必要的；（4）當今熱門話題的雙重圖形定義，乾蝕刻比微影更為重要，左右尺寸大小的精度與偏差。因應如此各式各樣的材料，並且愈來愈高度化的加工技術，讓今後想要從事的工程師，應當對乾蝕刻技術具有充分的理解加以面對，並且需求針對初學者的教科書。
本書採用與以往書籍相異的獨特方法，將乾蝕刻技術由基礎到應用，讓初學者能夠理解的加以歸納整理。以往的乾蝕刻書籍，大多動輒偏重於艱深的電漿理論，或是反而從頭到尾羅列乾蝕刻技術的數據。本書的執筆則是盡量不使用數學式，讓初學者也能容易的理解乾蝕刻的機制。此外，由製程直到設備、新技術，考量能系統的理解。更進一步，設置電漿損傷的章節，以便能夠理解全貌，也是特徵之一。
本書不僅讓初學者能容易的理解乾蝕刻技術的原理，也能獲得更切實際的知識。此外，雖然以初學者為對象撰寫，但是對於已經累積某種程度經驗的工程師，在能夠理解乾蝕刻技術的全貌上，期望也能有所助益。本書若能對從事乾蝕刻相關工作的工程師，在工作的執行上給予方針，至感甚幸。
野尻一男
譯者序
譯者就職華邦電子前，曾任職於峰安金屬、林陽實業以及遠東紡織化纖總廠。當有機會聊到自己過去的職涯時，偶而會調侃自己待過金屬、玻璃、紡織、電子等四大產業，剩下養豬業還沒去過（莞爾）。根據個人親身經歷，在電子產業中，光是晶圓廠的半導體前段製程就遠比上述其他三種產業複雜，而且技術的躍進更是日新月異。如果不求進步或轉型，恐怕只有等著關廠、解散一途。
回顧1996年譯者初進半導體業，當時DRAM的量產是以0.45微米技術生產16MB記憶容量的晶片，而如今泛用型DRAM已經使用25奈米的技術量產2GB以上記憶容量的晶片，18年來推進了12個世代。
除了DRAM之外，其它諸如NOR與NAND等大宗的記憶體，以及台灣傲視全球的晶圓代工產業的主力──邏輯IC，也是不遑多讓的朝向微縮、積體化邁進。如同本書所述，其中尤以微影和乾蝕刻為關鍵技術，而乾蝕刻由於牽涉到電漿物理、化學、材料、電磁等複雜的現象，優秀工程師的養成更屬不易。
本書作者具有豐富的業界經驗，深知工程師在專業知識上的需求為何。原書的英文譯本《Dry Etching Technology for Semiconductors》也於2014年10月出版。希望本中文譯本能在半導體乾蝕刻工程師的基礎教育上，略盡棉薄之力。
倪志榮
謹誌於華邦電子中科廠區
